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Os substratos de safira pertencem a um dos aspectos mais significativos da aplicação estrutural deste material. Eles são usados para epitaxia de filmes semicondutores, como Si, GaN, AlGaN, e para a fabricação de circuitos integrados.
Os substratos de safira são inertes, funcionam a altas temperaturas e cargas mecânicas e podem ser obtidos em tamanho grande. Portanto, eles são usados mesmo naqueles casos em que os parâmetros da rede não coincidem completamente com os parâmetros das estruturas heteroepitaxiais.
Embora existam muitos substratos considerados materiais em potencial para substituir o substrato de safira, ele ainda é dominado no mercado de substratos (para o crescimento de GaN LED), devido ao seu preço razoável e incompatibilidade relativamente baixa.
Zhongju é capaz de processar substratos de acordo com as necessidades do cliente. Atualmente, nossas produções de substrato de safira variam de 2 a 12 polegadas com alta qualidade e orientação precisa.
Tabela 1 Tamanho dos substratos
|
2 inches Substrates |
4 inches Substrates |
6 inches Substrates |
Diameter (mm) |
50.9±0.1 |
100.1±0.1 |
150.1±0.1 |
Primary Flat Length (mm) |
16±1 |
31±1 |
47.5±1 |
Tabela 2 Especificação de substratos
Material |
High purity single crystal sapphire |
Surface Orientation |
C-plane ± 0.1° |
Primary Flat Orientation |
A-plane ± 0.5° |
Broken edge length |
≤3mm |
Crack |
0 |
Defect |
No inclusion,twin,or boundary |
Bubble and cloud |
Dense bubbles, clouds, and scattered bubble marked and counted as defects by length |
EPD |
≤1000 pits/cm2 |
Grupo de Produto : Substrato de safira > Substrato de safira de 6 polegadas
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